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800G vs 1.6T 光模組:一個世代跳升,把 BOM 拆給你看,誰真正賺到毛利
1.6T 是 800G 的世代平移。把兩代模組並排拆:DSP 80→130、光源單顆漲 3–4 倍、矽光滲透 40–45%→60%。看成本往哪跳、瓶頸怎麼換位、毛利被誰抽走。
7月16日


ECTC 2026 | Applied Materials | First Demonstration of 450nm Pitch Cu-Cu Hybrid Bonding with 98% Yield Across 20M Interconnects for Ultra-Dense 3D Integration
W2W Cu-Cu 混合鍵合第一次推到 450 nm 還守住高良率(2000 萬連結 98%/100%)。Applied Materials 揪出鍵合界面的 BTA 殘碳這個良率殺手,把界面化學、阻障、退火全部工程化。3D DRAM/HBM 的鋪路工程。
7月2日


ECTC 2026 | Tohoku University | Chemically Tailored Cu-Electroplating and Contactless Isostatic Annealing of 1-mm-Thick Full Glass Wafer Cu Through-Glass-Vias
玻璃要當先進封裝 interposer,第一關是把又深又直的 TGV 填滿好銅。東北大用無電鏀鏍種子+化學電鏀+HIP 退火,1 mm 厚玻璃直孔無空洞填滿、長出 >45 µm 超大晶粒。玻璃 TGV 的底層工程突破。
6月29日


ECTC 2026 | ASE | A Novel 600mm Panel Interposer with 300mm Panel Assembly Approach for Advanced Packaging Solution in HPC and AI Applications
600mm 面板做 FOPLP 利用率高但組裝易翻曲。ASE 用「RDL 在 600mm 面板做、組裝在 300mm 面板做」的混合流程,拿到 7.1x productivity 又低風險,做出 3 層 RDL 5/8µm、±5µm 精度,過 3x/6x 回流。AI 封裝的務實面板路線。
6月29日


ECTC 2026 | ASE | Characterization of Bonding Behavior and Void Formation in Chip-on-Wafer Hybrid Bonding
CoW 混合鍵合的良率先卡在初始鍵合波前角度。ASE 把角度調到 D 讓波從中心往邊緣有序推進,8×12×0.05mm 良率從 2.8% 暴衝到 99%,並在 102.4µm 翹曲超薄晶片、6µm 間距、organic 介面上一律 95–99%,大幅放寬 process window。
6月29日


玻璃基板不再是 PPT 技術:TGV 賽道為什麼在 2026 一次到位
玻璃基板講了三年,2026 才真的上桌。整條賽道的咽喉只有一個字:TGV。為什麼 Intel、台積電、Samsung 在同一年押同一張牌?良率「幾乎是零」的玻璃基板,憑什麼是下一代 AI 大封裝的地基?
6月17日
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