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技術文章分析|聚合物波導扛住 +20 dBm 六小時:ELS-based CPO 缺的那塊「光重佈線」拼圖

  • 22小时前
  • 讀畢需時 5 分鐘

光通訊圈正在吵一件事:CPO 的雷射,到底該不該放進晶片裡。把雷射整合進矽光子晶片,密度最高、最性感;但雷射是整個系統裡最會壞的東西,把它埋進 GPU 旁邊的封裝裡,等於把最脆弱的零件放到最難維修的位置。於是另一派主張外部雷射(External Laser Source,ELS)——雷射放在晶片外面,壞了拔下來換就好。

但外部雷射有個沒人愛談的代價:你得想辦法,把一束 +20 dBm 等級的高功率光,從封裝邊緣搬到晶片中央的調變器。而這束光不能走矽波導——矽在高功率下會踩到雙光子吸收與自由載子吸收,超過 +20 dBm 就有燒毀風險。所以 ELS 路線真正缺的,是一條「扛得住高功率、又便宜、又能做光重佈線」的通道。

AIST(日本產業技術總合研究所)這篇發表在 Journal of Lightwave Technology(2025 年 5 月)的論文,就是在替這條通道做體檢。結論先講:做在便宜玻璃環氧基板(FR4)上的單模聚合物波導,吃 +20 dBm 連續波光六小時不衰退、溫升只有 4.4°C、CWDM4 四波長偏振消光比全數通過 OIF 規範。 對封裝派來說,這是一塊缺很久的拼圖被補上了。


1、這篇論文想解決什麼

一句話:ELS 的高功率光,直接灌進聚合物波導,到底撐不撐得住。

AIST 之前提過一個叫「主動光學封裝基板」(Active Optical Package,AOP)的概念——把矽光子裸晶埋進傳統玻璃環氧基板,再用聚合物微反射鏡與聚合物波導做三維光重佈線,把光從光纖節距(250 µm)轉換到晶片節距(30 µm 等級)。問題是,過去他們只在 +24.6 dBm 跑過初步測試,沒做每個波長的完整穩定度與可靠度評估,也沒量過 ELS 系統最關鍵的偏振消光比(PER)。這篇就是把這些坑一個一個補完。


AOP 基板概念圖——矽光子裸晶埋入玻璃環氧基板,聚合物微反射鏡 + 聚合物波導負責把 ELS 的光做三維重佈線,導向晶片調變器。
AOP 基板概念圖——矽光子裸晶埋入玻璃環氧基板,聚合物微反射鏡 + 聚合物波導負責把 ELS 的光做三維重佈線,導向晶片調變器。

2、關鍵圖表逐一拆解

這張圖展示了「八根波導長得幾乎一模一樣」


八根 11 mm 長聚合物波導的核心尺寸變異。寬 8.7 µm ± 0.2、高 6.9 µm ± 0.2,標準差只有 0.1 µm 級別。
八根 11 mm 長聚合物波導的核心尺寸變異。寬 8.7 µm ± 0.2、高 6.9 µm ± 0.2,標準差只有 0.1 µm 級別。

用直接雷射寫入(Direct Laser Writing,DLW)做出來的八根波導,核心尺寸標準差壓在 0.14 µm(寬)與 0.12 µm(高)。對量產來說,一致性比單顆數字漂亮更重要——這代表製程是可複製的,不是運氣好挑到一根。材料用的是日產化學(Nissan Chemical)的 SUNCONNECT,基板則是市售高 Tg 的 FR4。


這張圖展示了「偏振相依損耗壓得夠低」


八根波導的偏振相依損耗(PDL)。全 O-band <0.5 dB,1310 nm 處 <0.25 dB。
八根波導的偏振相依損耗(PDL)。全 O-band <0.5 dB,1310 nm 處 <0.25 dB。

PDL 是 ELS 系統的隱形殺手——光從光纖耦進晶片若兩個偏振態損耗不一,訊號品質就會劣化。八根波導全段 PDL <0.5 dB。值得注意的是,這次的最差值(約 0.5 dB,Waveguide #7)比他們上一篇單顆樣品的 0.25 dB 還差,作者誠實地把原因攤開:這次核心是不對稱的(寬 9 µm × 高 7 µm)而非上次的對稱方形(8×8 µm),加上這次量了八根所以看得到製程波動。這種「不藏短」的態度,反而讓數據更可信。


這張圖展示了「偏振消光比全數通過 OIF 門檻」


八根波導在 CWDM4 四波長(1271/1291/1311/1331 nm)的 PER 量測,全數 >20 dB,遠超 OIF 要求的 >10 dB。
八根波導在 CWDM4 四波長(1271/1291/1311/1331 nm)的 PER 量測,全數 >20 dB,遠超 OIF 要求的 >10 dB。

這是 ELS-based CPO 的及格線。OIF 對 3.2T CPO 模組要求 PER >10 dB,這篇四個波長的平均 PER 落在 25–26 dB,最差也有 21 dB——等於用兩倍以上的餘裕通過。對位參考是:把對位模組直接對接(不放波導)量到 37 dB,這是物理上限。換句話說,波導本身只吃掉約 11–15 dB 的偏振純度,仍遠在規範之上。


這張圖展示了「六小時高功率不衰退」——這是全篇的招牌

四根波導分別灌入 CWDM4 四波長、+20 dBm 連續波光,跑六小時的輸出功率。全程線性、無額外損耗,波動在 ±0.3 dB 內。
四根波導分別灌入 CWDM4 四波長、+20 dBm 連續波光,跑六小時的輸出功率。全程線性、無額外損耗,波動在 ±0.3 dB 內。

這是整篇論文的價值核心。他們刻意挑「最差情況」——把每個波長配給該波長下損耗最大的那根波導——再用古河電工(Furukawa)提供的 ELS 灌 +20 dBm 連續波光跑六小時。結果:輸入輸出高度線性、沒有額外損耗,輸出波動只在 ±0.3 dB(還主要來自手動對位誤差與 PDL,不是波導劣化)。換算波導內功率密度約 180 kW/cm²,雖然低於光纖的安全上限 250 kW/cm²,但已是實打實的高功率區間。

這張圖展示了「高功率下熱不是問題」


Ansys Mechanical 熱模擬。+20 dBm 輸入下,聚合物波導溫升約 4.9°C。
Ansys Mechanical 熱模擬。+20 dBm 輸入下,聚合物波導溫升約 4.9°C。


FLIR 熱像儀實測。1311 nm、+20 dBm 輸入,輸入端溫度從 22.3°C 升到 26.7°C,溫升 4.4°C——與模擬的 4.9°C 高度吻合。
FLIR 熱像儀實測。1311 nm、+20 dBm 輸入,輸入端溫度從 22.3°C 升到 26.7°C,溫升 4.4°C——與模擬的 4.9°C 高度吻合。

很多人對「聚合物」的第一反應是「會不會被光燒掉」。AIST 把 0.55 dB 的波導損耗全當成熱來算(最保守假設),模擬出溫升 4.9°C,實測 4.4°C,兩者對得上。基板熱參考用的是 Resonac 的 MCL-E-705G。4.4°C 對封裝來說幾乎是雜訊等級——這直接拆掉了「聚合物扛不住高功率」這個最常見的質疑。

3、最創新的兩個技術點

第一,把「高功率耐受」這件事,從矽搬到聚合物。 矽波導 >+20 dBm 會踩雙光子吸收與自由載子吸收,這是物理限制、繞不過去。AIST 的解法不是優化矽,而是換材料——用聚合物波導當高功率光的搬運工,把矽光子留給它最擅長的調變,讓兩種材料各做各擅長的事。

第二,用便宜的 FR4 玻璃環氧基板,而非昂貴的玻璃或矽中介層。 這是成本敘事的關鍵。聚合物波導 + DLW + FR4 這套組合,對應的是「用 PCB 等級的供應鏈做光重佈線」的可能性,而不是動用昂貴的半導體製程。對想壓低 CPO 封裝成本的人來說,這個方向比性能數字本身更有吸引力。


4、距離量產還有多遠?誰受益?

先說冷靜的部分。這是一次單機台、手動對位、butt-joint SMF、只跑六小時的概念可行性驗證。作者自己把 future work 列得很清楚:要上 PMF 光纖陣列改善耦合、要做長期可靠度測試、要真的跟矽光子整合。所以這篇的定位是「此路可行」,不是「明天就能出貨」。把它讀成量產就緒,會讀過頭。

但供應鏈訊號很明確。這是一條典型的日本國家隊打法:AIST(國家實驗室)出概念與驗證,日產化學出聚合物材料(SUNCONNECT),古河電工出 ELS,Resonac 出基板。每一環都有對應的上市/材料供應商在後面。對 STT 的讀者來說,這代表「封裝派 CPO」(把矽光子埋進基板 + 聚合物重佈線)這條路線,正在被一個完整的材料與元件生態系往前推——而它跟「矽光子原生整合」是兩種不同的賭注。

雷射被踢出晶片之後,光得有人接住。這篇論文說:那個人,可以是便宜基板上的一條聚合物波導。

5、結論宣判

這篇論文在技術史上的位置很單純:它不是突破性的新原理,而是一塊關鍵的可行性背書。它把「ELS-based CPO 需要高功率光重佈線層」這個需求,跟「便宜玻璃環氧基板上的聚合物波導能勝任」這個答案,用乾淨的數據對接起來。

對正在評估 CPO 封裝路線的人,這篇給了一個明確的參考點:如果你走外部雷射、走封裝整合,聚合物波導這條重佈線通道,在 +20 dBm 下是站得住的。剩下的問題不在「能不能」,而在「能不能規模化、能不能撐三年而不只是六小時」——而那,是下一篇論文的事。


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