不再靠一直加雷射波長堆頻寬——華盛頓大學用微環調變器做相干 QAM，把單一波長塑到 320Gb/s，能效只要 0.69pJ/b。RAMZI 繞開 MRM 幅相耦合、時分複用熱調諧壓下溫度穩定的代價，在便宜的 45nm 矽光上把相干、低功耗、小面積一次做齊。

NVIDIA 這顆 32Gb/s 光接收機把靈敏度推到 -18.5dBm、能效壓到 0.416pJ/b，靠的是一個幾乎免費的招式：把軌對軌 TIA 輸出當成 DFE 的無雜訊判決，用不到 1mA 換 2dB 靈敏度。為什麼接收端靈敏度是整條光鏈路最值得投資的那一格？逐圖看懂。

NTT 用「薄膜」把 III-V 電吸收調變器的接面電容壓到 26fF，讓元件頻寬衝破 67GHz、系統能耗只要 0.75 pJ/bit。這篇 VLSI 2026 論文的價值，在於把短距光互連的頻寬與功耗兩大痛點拆開、用材料結構與封裝電路分別擊破。本文逐圖導讀全篇 11 張 Figure。

AI 的效能瓶頸早已不在算力，而在跨晶片、跨封裝的資料搬移。台積電在 VLSI 2026 用 3DFabric 平台給出答案：讓封裝本身成為擴展 AI 的載體。本文逐一拆解論文 19 張圖，從算力 48 倍、頻寬 34 倍到供電與散熱協同、EDA agent 化，看懂先進封裝為何是這場競賽的主戰場。

直接偵測光接收機平常只用 PD 一端，NVIDIA 把浪費掉的陰極電流撿回來湊成差分 TIA，靈敏度提升約 √2。代價是 TIA 翻倍，換來的是整條鏈路的雷射功耗下降。VLSI 2026 C20.2 逐圖導讀。

CPO 簡報花 90% 講晶片，但運維只問一句：光纖能不能換？這就是 CPO 量產隱形的關卡。FAU 這個被動小件正上演四種耦合物理的路線之爭，十五家公司分頭卡位。誰現在賺、誰賭 2027、康寧 GlassBridge 會不會掀桌？

OIF 這份需求文件不是規格書，是系統商把「要什麼」攤開講。真正的主戰場是 pJ/bit——BEI 距離短、互通鬆，成了最先放量、也最能容忍激進設計的甜蜜點。看懂三張網的優先序，就看懂光互連下一步的靶心在哪。

51.2T NPO 交換器散熱誰是正解？Celestica ITherm 2023 論文給出答案：冷板液冷在 2 LPM 下 ASIC 與 OE 都有餘裕。真正的瓶頸不是 835W 的 ASIC，而是那 16 顆規格卡在 70°C 的光引擎。

算力每年長 75%，餵資料的銅纜每年只長 20%——這條剪刀差就是 AI 基建的痛苦源頭。Winzer 用六張圖把「為什麼非走線性光學不可」的因果鏈補齊，結論很有稜角：這一代叢集的天花板，是 scale-up 那 1 公尺銅纜。

GlassBridge 不是連接器，是康寧玻璃材料霸權的第二次出手。它瞄準 CPO 成本佔 60% 到 70% 的光纖耦合與 FAU 環節，破壞力真實存在，但卡在商業關、不是技術關。為什麼這會先燒估值、再燒基本面？

CPO 量產卡在微透鏡 pick-and-place 與主動對位。AIST 把透鏡-反射鏡做成 opto-chiplet 在封膜時埋入、配 Optical RDL 導光，對位容忍度放大到 ±12 µm。把對位從組裝搬到封裝的一條路。

Qnity 用 BCB 乾膜把光波導做進 PCB 製程，導入門檻最低、損耗 0.07–0.11 dB/cm、過回流焊與高溫高濕。還誠實戲破「多模波導間距大就不串擾」的常見假設。板級光互連的甜蜜點在哪？

慷應用「蚊子法」一根針把光路畫進聚合物，靠漸變折射率核心避開界面散射，做出逼近材料極限的低損耗波導，還用流體力學突破針徑限制做 20 µm 細間距。聚合物波導路線的考題是什麼？

矽光子調變器被繞射極限鎖在 3,000～5,000 微米、60 GHz，餵不飽 AI 要的 3.2T。Marvell 用 plasmonics 把調變器壓進 10 微米、推到 1 THz，且能掛在既有矽光子製程後段量產。這是繞過繞射極限牆、延壽到 3.2T 以上最關鍵的一塊拼圖——但量產良率才是真正考題。

矽調變器卡在 50–60 GHz 的 RC 牆。Nokia Bell Labs 用 TFLN 調變器＋商用驅動 IC 覆晶混合整合，做出第一個 CPO 發射器：Vπ·L 2.3 V·cm、EO >45 GHz。耦合損耗與散熱是下一關。

DNP 把聚合物波導做到玻璃上 10 µm 間距，但重點是一條鐵律：高密度的代價要用折射率對比來付。Δ=2.3% 才能把 10 µm 串擾壓到 −32.3 dB。聚合物波導的競爭力藏在哪三個材料參數？

AIST × KYOCERA 把擱了多年的 AOP 概念第一次真的點亮：埋晶矽光子＋聚合物 ORDL＋3D 微反射鏡，112 Gbps PAM4、TDECQ 3.35 dB 過 IEEE 規格。聚合物光重佈線路線走到哪了？

矽光子主流之外，Mitsubishi 押 III-V EML 覆晶上玻璃中介層：原型就跑出 89 GHz、106.25 Gbaud PAM4、TDECQ 2.37 dB。當每 lane 要衝 400 Gbps，這條高速路線能不能擐過陣列化與成本？