專利最多的地方，不是最難的地方：拆解 CW DFB 雷射七段製程與 13 家廠商的專利佈局
CPO 外部光源讓一顆元件突然變得關鍵：1310 nm 連續波 DFB 雷射。矽不發光，CPO 交換器上每一條光通道的光，都要靠外部光源模組（ELSFP）送進去，而雷射佔這個模組 BOM 成本約 65–70%。
市場現在用毫瓦數比較這顆雷射。70 mW、100 mW 已量產，200 mW、400 mW 在送樣，Lumentum 在 OFC 2026 展示了 25 ℃ 超過 1 W 的樣品。但毫瓦數只是最後一張成績單，背後是七段製程一起決定的結果。
1. 一顆 CW DFB 雷射的七段製程
磊晶：在 n-InP 基板上長出量子井與光柵層，決定光場怎麼分配。
光柵：刻出週期約 200 奈米的光柵，決定雷射只出一個波長。
再成長：把光柵埋起來，長上 p 型披覆層與接觸層。
前段製程：做出脊型波導（RWG）或埋入式異質結構（BH），把光和電流關在 1–2 微米寬的通道裡。
後段製程：薄化、背面金屬、劈成 bar、端面鍍 AR／HR、bar 測試、劈成單顆。
晶片貼裝：p 面朝下用金錫共晶貼到氮化鋁基座，把熱帶走。
老化與測試：通電加溫篩掉早期失效，量 LIV、旁模抑制比與高溫特性。
▲ CW DFB 雷射從磊晶到出貨的七段製程｜來源：Simple Tech Trend 整理
2. 三個指標，對應不同的製程段
功率：磊晶、前段、晶片貼裝。
單模良率：光柵、再成長、測試。
長期可靠度：再成長、後段、老化篩選。
我們把 Lumentum、Sumitomo、Coherent、Broadcom、MACOM、Mitsubishi Electric 等 13 家的 123 筆公開專利逐筆對回這七段，結果出現一個反差。
STT 認為：專利最密集的地方，不是最難的地方。前段結構與 DFB＋光放大器的高功率架構被大廠專利佈滿；最難的光柵製程、再成長與篩選數據，幾乎沒有人申請專利。
▲ 專利密度與 know-how 難度不在同一段｜來源：Google Patents 代表性專利 123 筆，Simple Tech Trend 整理
相關脈絡：高功率 CW 讓同一片磊晶能切出的雷射變少，可參考 聯亞光電 2026 Q3 法說精華；InP 基板的供應狀況見 AXT FY2026 Q3 法說精華。
付費區內容
七站逐一拆解：結構、重要性、技術挑戰，以及各家專利在保護什麼
RWG 與 BH 的取捨，以及 Lumentum、Sumitomo、Sivers、AAOI 各自補了哪個弱點
高功率不是把 DFB 做大：三種腔體架構與 Sumitomo 的 5 件 DFB＋SOA 申請案
Sumitomo 與 Lumentum 公開的功率對溫度數據
13 家 × 10 個製程段的專利熱力圖與四種佈局陣營
13 家廠商各自保護什麼、空白在哪
7 個反方論點與 4 個要觀察的訊號
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以上是本篇的重點整理。
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