2026 OCP Global Summit | Nokia | Armaghan Eshaghi | Architecting Near-Packaged Optics for AI Datacenters
1. 為什麼由 Nokia 來講 NPO 的取捨
這屆 OCP 的 NPO 場次很多，Eshaghi 開場自己也說大家大概已經聽了上百次。他講的不是「為什麼要 NPO」，而是：光學越靠近 ASIC，調變器、雷射、封裝三件事就越沒有定論，而這三件事彼此牽動，不能分開設計。
Nokia 強調自己不綁單一技術，InP、SiPh、TFLN 都有能力；但技術投影片最後一頁擺的是三座 InP 晶圓廠。也就是說，這是一家 InP 製造商在說明，NPO 為什麼讓 InP 單晶雷射重新有機會。這個立場不影響數據本身，但讀比較表時要記得。
2. 拆解功耗：NPO 和 CPO 同一級，差在能不能換
Nokia 用 SerDes 顆數排出四級鏈路功耗：
架構 | 電路組成 | 鏈路功耗 | 維修模式 |
重定時可插拔 | 1 SerDes + 1 DSP | 約 15 pJ/bit | 整顆模組熱插拔 |
LRO | 1 SerDes + 半顆 DSP | 約 10 pJ/bit | 整顆模組熱插拔 |
LPO／NPO／CPO | 只剩主機端 SerDes | 約 6 pJ/bit | NPO 換光引擎、CPO 外置雷射 |
晶粒對晶粒整合光學 | 0 SerDes | 低於 4 pJ/bit | 封裝層級，距量產仍有數年 |
從 15 降到 6，降幅約 60%。Eshaghi 口頭補充，Nokia 自己的 LPO 可插拔約 5 pJ/bit。他也引用 Oracle 在 ECOC 與 Alibaba 當天的報告：LPO 失效率比全重定時模組更低，原因是會壞的 SerDes 與 DSP 變少了。
▲ 四級鏈路功耗：重定時約 15、LRO 約 10、LPO／NPO／CPO 約 6、整合光學低於 4 pJ/bit；NPO 的維修模式是可更換光引擎（圖片來源：Nokia｜2026 OCP Global Summit 簡報（第 2 頁））
這張投影片的重點在最下面那一列。CPO 的維修模式寫的是「雷射外置」，因為光引擎焊在封裝上，壞了很難換，雷射自然被推到前面板。NPO 的光引擎本身可以換，這個前提就鬆動了。
3. 拆解調變器：五種方案，沒有一種全勝
指標 | InP EML／EAM | InP MZM | SiPh MZM | SiPh MRM | TFLN MZM |
驅動電壓 | 低 | 低 | 高 | 最低 | 低 |
400G/lane 頻寬餘裕 | 高 | 高 | 受 RC 限制 | 中等 | 最高 |
調變段長度 | 短 | 中等 | 長 | 最小 | 最長 |
損耗（含耦合） | 中等 | 中等 | 較高 | 中等 | 最低 |
熱敏感度 | 可能需 TEC | 可能需 TEC | 近乎無熱 | 需主動調諧 | 極佳 |
STT 統計評等：TFLN 拿下三項最佳，但長度最差；SiPh MRM 拿兩項最佳，但熱敏感度最差；SiPh MZM 驅動電壓最差，而且 Eshaghi 口頭承認兩種矽光子調變器在 400G/lane 都還有挑戰。兩種 InP 方案沒有一項最佳，也沒有一項最差，是表上最均衡的選項。
口頭補充兩點：InP 的 TEC 在液冷環境下可能省掉；MRM 的主動調諧，系統越大越難做。
4. 拆解雷射位置：每往外移一步，雷射就要多輸出一些
整場最有用的是雷射位置表，Nokia 把雷射到調變器的距離當成一條連續光譜：
雷射位置 | 雷射到調變器損耗 | 散熱 | 維修 | 製造 |
單晶整合（InP） | 約 0.25 dB | 位於光引擎熱區 | 換光引擎 | 單一 InP 晶圓 |
整合在 PIC 上 | 0.5–1 dB | 位於光引擎熱區 | 換光引擎 | 兩種平台，良率相乘 |
封裝內 | 約 1.5 dB | 位於光引擎熱區 | 換光引擎 | 已預燒的良品雷射晶粒 |
外部光源（ELSFP） | 約 2 dB | 前面板較冷 | 現場更換雷射 | 一顆光源分給 4–16 lane，需處理保偏光纖 |
▲ 雷射位置從單晶整合到 ELSFP，損耗從約 0.25 dB 增加到約 2 dB，換來散熱隔離與現場可換（圖片來源：Nokia｜2026 OCP Global Summit 簡報（第 5 頁））
把 dB 換成倍數比較直觀。以單晶整合為基準，要讓調變器收到同樣的光功率，封裝內雷射要多輸出約 1.33 倍，ELSFP 約 1.5 倍（STT 推算，只計投影片列出的雷射到調變器損耗）。
▲ 雷射離調變器越遠，額外損耗越大；ELSFP 比單晶整合多約 1.75 dB，雷射輸出要高約 1.5 倍（圖片來源：Simple Tech Trend 自製，資料來源 Nokia 2026 OCP Global Summit 簡報）
Nokia 列出內建雷射的四個好處：系統設計較簡單、較不依賴超高功率雷射（UHPL）、不需要保偏光纖、減輕前面板的 ELSFP 密度壓力。Eshaghi 口頭提到 UHPL 目前產能吃緊。前面板這一點在 200T 世代特別明顯：若以每 lane 200G 估算，204.8T 是 1,024 條 lane，一顆光源分 4–16 條，前面板就要放 64–256 個雷射光源（STT 推算；若走 400G/lane 則減半）。
這裡是 Nokia 立場最清楚的地方：表上三種內建方案的散熱欄都寫「位於光引擎熱區」，Nokia 的回答是 NPO 光引擎已經離開 ASIC 的熱區。我們在 CPO 雷射不一定要拚 400 mW：NPO 內建雷射 討論過同一個方向；Nokia 這次補上的是各位置的損耗數字。
5. 拆解封裝：插座、散熱路徑與組裝
封裝決定訊號完整性、散熱與維修模式，分成四塊：
主機連接：光引擎可放在 ASIC 基板（帶連接器）、主機板（射頻表現最差）或轉接板上。轉接板（interposer card）的接觸介面有壓接式 LGA、帶金屬接點的彈性體薄膜與導電彈性體。
光引擎插座：兩件式連接器（如 CPX Type 1／2 MSA 或其他專有方案），或直接焊在轉接板上。可拆的介面保留維修性，代價是犧牲一部分電性表現。CPX 的生態系我們在 ECOC2026｜Ciena 用 Open CPX 把 6.4T 光引擎變回貨架料 拆過。
散熱路徑：和 ASIC 共用冷板，同時讓雷射保持低溫。投影片原文是「冷板只有在熱路徑有設計進去時才有用」，Eshaghi 口頭補充要從第一天就設計。
組裝：良品雷射與 PIC 晶粒、晶圓級測試、被動對準與自動化。
6. Nokia 的押注：三座 InP 廠與 204.8T NPO 交換機
最後一張技術投影片的標題是「製造規模與效能會選出贏家」。Nokia 給的需求訊號是：客戶要求到 2030 年左右 InP 產量增加約 10 倍。它的回應是三座 InP 廠：既有的 Sunnyvale 3 吋廠，加上新建的 San Jose 與 Arizona 兩座 6 吋廠。
平台涵蓋單晶、內建、外部三種雷射，以及 InP、SiPh、TFLN 三種調變器。右側的「Nokia DC Switch with NPO Engines」示意圖，ASIC 四周各排 4 顆光引擎，每顆標 12.8T，合計 204.8T（STT 推算）。
▲ Nokia 6 吋 InP 平台與三座晶圓廠，右側為 16 顆 12.8T 光引擎環繞 ASIC 的 NPO 交換機示意（圖片來源：Nokia｜2026 OCP Global Summit 簡報（第 7 頁））
▲ 調變器與雷射是綁在一起的選擇：InP 可以單晶整合雷射，TFLN 與 SiPh 必須搭配整合、封裝內或外部光源（圖片來源：Simple Tech Trend 自製，資料來源 Nokia 2026 OCP Global Summit 簡報）
7. 風險與反面論點
熱區問題只是移位，沒有消失。三種內建雷射都在光引擎熱區，NPO 光引擎仍和 ASIC 共用冷板。200T 世代的熱密度下雷射效率與壽命如何，Nokia 沒有給數據，它自己也保留外部光源作為最熱、最密場景的避險。
換光引擎的代價比換雷射高。內建雷射壞了要換整顆光引擎，ELSFP 只換雷射。兩種方式哪一種總維修成本較低，要看雷射與光引擎各自的實際 FIT，演講沒有提供。
損耗數字是典型值，且內建雷射不是每項都贏。0.25 dB 到 2 dB 沒有標示條件；同一張表也把單晶與 PIC 整合雷射的 RIN 評為 Good，封裝內與 ELSFP 為 Great。ELSFP 一顆光源分給 4–16 條 lane，雷射顆數與成本的攤提，可能部分抵銷 1.5 倍的功率差。
立場偏向 InP。比較表把 InP 評為最均衡，而 Nokia 擁有 InP 廠，這應視為一家廠商的評估，不是中立基準。
沒有時程與產品規格。204.8T 交換機只是示意圖，6 吋廠的量產時間也沒有公布。
8. 對台灣供應鏈的意義
演講沒有提到任何台灣廠商，以下是架構層面的觀察。雷射位置會改變雷射的出貨型態：若 200T 世代 NPO 走內建雷射，需求會從前面板的高功率 CW 雷射模組，轉向整合進光引擎的雷射晶粒；若走 ELSFP，需求仍集中在一顆光源分給多條 lane 的高功率雷射。做 CW 雷射與 ELSFP 的廠商，兩種形態都要準備。
InP 的產能競賽已經從晶片廠打到晶圓尺寸。Nokia 自建兩座 6 吋 InP 廠屬於垂直整合，並表明要支援多種架構，等於把自己放在 InP 光源與光引擎供應者的位置。台灣化合物半導體業者若要切入，關鍵在 6 吋 InP 的良率與產能。
封裝這一段是台灣廠商較熟悉的領域。CPX 插座、彈性體與 LGA 接觸、轉接板、和 ASIC 共用的冷板設計，都屬於連接器、PCB 與散熱廠的範圍；NPO 越強調可拆，這一段的價值越高。延伸閱讀：NPO 不是 CPO 的前菜。
9. 總結
這場演講的價值，在於把 NPO 的「可維修性」從維運議題變成元件選擇的前提。CPO 光引擎換不了，雷射只好移到前面板，付出約 2 dB 損耗、保偏光纖與面板密度的代價；NPO 光引擎可換，雷射就能回到光引擎內，損耗降到約 0.25 dB。
STT 的判斷是：200T 世代會是內建雷射回歸的第一個檢驗點，而受益最大的是能把單晶 InP 做到 6 吋量產的廠商，Nokia 正是其中之一。但熱區與維修成本還沒有答案，外部光源不會消失。未來 12–24 個月應觀察三件事：200T NPO 交換機的雷射配置、Nokia 6 吋 InP 廠的量產時程、TFLN 與 SiPh 光引擎採用哪一種光源。
CPO 把雷射趕出光引擎，NPO 把它請回來；多出來的那幾 dB 損耗，最後會變成一場 InP 產能的比賽。
本文僅供技術與產業趨勢分析，不構成任何投資建議。
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