2026 OCP APAC Summit | Coherent | Anna Tatarczak | 400G/lane 卡的不是光，是電：IM/DD 還沒交棒，但這次要靠封裝救

8月16日
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Coherent CTO office 的 Anna Tatarczak 在 OCP 2026 APAC 攤了一組 400G/lane 的實測：InP EAM 加 BiCMOS driver，420 Gbps 眼圖打得出來，全鏈路 BER 低於 1e-4。技術上「能」了。
但她整場真正花時間講的不是調變器，是介面：wire bond 與 flip chip 在 110 GHz 以下損耗差不多，再往上「突然就崩了」；現行 OSFP 連接器在 90 GHz 有一個頻率凹陷。光學元件先到位，電氣與封裝落後一步——這是 400G/lane 這一代的真實形狀。
材料端不是收斂，是更發散：SiPh、InP、TFLN 各有各的死角。最刺的一個數字是 TFLN 調變器面積比 InP EML 大約 100 倍，這一刀直接把它從高密度 CPO 場景切出去。
距離這條線是分水嶺：400G/lane 單波長約 2 公里、CWDM 只剩 500 公尺（靠 DSP 或光學色散補償可拉到 1.5 公里）。coherent-lite 的存在理由，就是把這 2 公里買回來、同時把 DSP 裡的色散補償整段拿掉。
600G/800G 她的判斷是 IM/DD 還能撐：功耗低、成本低、接收端簡單，調變器與 PD「文獻上已經有了」，缺的是電子。PAM6 上光的路被她一句話關掉：SNR 牆還在。

1. 為什麼現在要談 400G/lane：題目已經換過了

100G/lane 已經在跑，200G/lane 正在部署。這句話在 OCP 現場沒人需要被說服，但它的推論常被跳過：當通道速率翻倍變成常態動作，真正被壓縮的不是光學，是留給電氣與封裝的裕度。

Tatarczak 一開場就先把「現在」定位清楚。今天的收發器建立在三種技術上，而且是刻意共存：

VCSEL：出貨量最大、每位元能耗最低，但距離最短。
InP 雷射搭矽光子（Silicon Photonics，SiPh）晶片：距離拉得比較遠，最大優勢是與 CMOS 製程無縫接軌。
EML（Electro-absorption Modulated Laser，電吸收調變雷射）：性能最高，能吃最遠的距離。

她的判斷很明確：這三者共存有其結構性原因，400G/lane 也不會出現單一贏家。 這句話值得台灣供應鏈的人記住——多路線並存不是市場還沒決定，而是應用場景本來就切得開。

還有一個容易被忽略的重點：不管你走可插拔還是共封裝光學（Co-Packaged Optics，CPO），元件清單只是被重新切割，不會變少。可插拔裡是 DSP、driver、調變器、PD、TIA 一整串；CPO 把 DSP 併進 switch ASIC，但 driver、調變器、TIA、PD 一個都跑不掉，而且每一顆都得有夠用的頻寬。這個議題我們在【CPO 拆解 1/6】可插拔光模組撞牆了嗎？看懂 CPO 之前，先看懂這道牆有完整拆解。

2. 材料端不是收斂，是更發散

PAM-4 強度調變要撐 400G/lane，文獻上的門檻是頻寬約 100 GHz。能到這個數字的材料不少：薄膜鈮酸鋰（Thin-Film Lithium Niobate，TFLN）、磷化銦（InP）、矽有機混合（silicon-organic hybrid），甚至矽本身最近也開始跑出更高的頻寬。PD 這邊更輕鬆——鍺（Ge）與 InP 從 90 年代就夠用了。

聽到這裡很容易以為問題已經解決。Tatarczak 立刻壓下去：頻寬經常是拿電壓換來的。 只看 3-dB 頻寬會誤判，真正要一起看的是可製造性、可靠性、量產放大能力。

把鏡頭拉近到「400G capable 調變器」，三個候選的真實卡位是這樣：

矽（SiPh PDK 內建調變器）：CMOS 相容、整合度最好，但目前 PDK 內可取用的調變器還不到位。她的原話是「我們都很希望矽能夠好到足以支撐」——這句「希望」本身就是判決。
InP：原生雷射整合、頻寬非常高，代價是綁在化合物半導體的材料與產能上。
TFLN：頻寬非常高、損耗低，但面積比 InP EML 大約 100 倍。

那個 100 倍是整場最有殺傷力的數字。TFLN 在論文裡的頻寬數字漂亮，但在一顆要塞進 switch 旁邊、以「每毫米頻寬密度」計價的封裝裡，尺寸就是成本，也是熱。所以選擇不是「誰最快」，而是「你有多少空間、多少功耗預算、能接受多少插入損耗」。

值得注意的是，官方 abstract 把鈦酸鋇（Barium Titanate，BTO）與新興有機電光材料也列進了平台比較，但現場她幾乎沒有花時間在這兩個上面。排序訊號很清楚：BTO 與有機材料還在更外圈，不在這一代的決策桌上。

3. 420 Gbps 那顆眼圖：Coherent 攤出來的硬數字

這場最有份量的部分是一組實測，而不是路線圖。她強調這只是「其中一種解」，不是市場上唯一會出現的答案——這個免責很誠實，但數字本身站得住：

調變器：InP EAM，頻寬 100 GHz，回波損耗表現好，差動式設計，能吃下 driver 的全擺幅。
Driver：BiCMOS，頻寬超過 110 GHz。
關鍵動作：不只各自量頻寬，而是把兩者之間的介面（PCB、電容、bond wire）一起丟進仿真，小訊號與大訊號都先確認過。
實測：以一顆 420 Gbps DAC 驅動，InP EAM 打出 420 Gbps 眼圖，消光比（ER）3.5 dB，且明說是被 driver 擺幅限制住。
接收端：背面入光的 InP PD flip-chip 到 TIA 上，頻寬同樣能過 110 GHz。
全鏈路：InP 雷射、EAM、InP 接收端全串起來，BER 低於 1e-4，這是他們在 OFC 展示的那組。

ER 3.5 dB 不是漂亮數字，但她主動指出瓶頸在 driver 而非調變器，這比硬吹一個好看的眼圖有價值——它告訴你下一版該砸資源在哪裡。

順帶一句：這家公司自己就是 InP 供應鏈的關鍵位置。相關脈絡可參考法說精華：Coherent（COHR）｜FY2026 Q4 與法說精華：AXT（AXTI）｜FY2026 Q2 — InP 正式吃到資料中心。當 400G/lane 的最佳解落在 InP EAM 上，InP 基板的產能就從材料題變成排程題。

4. 兩公里與五百公尺：距離決定了誰能進場

400G/lane 開始撞到光纖本身。她給的數字很乾淨：

單波長：約 2 公里
CWDM：只剩 500 公尺
上更強的 DSP 或光學色散補償，CWDM 可以拉到約 1.5 公里

她也提醒這仍然遠超銅纜能做的距離——這點在 OCP 現場被講了兩天，同場 SemiAnalysis 甚至直接說銅與光是偽命題，我們在 2026 OCP APAC Summit | SemiAnalysis | Scale Up Sophistry：銅與光是偽命題拆過那場。

但真正的策略點在這裡：這 500 公尺到 2 公里的落差，就是 coherent-lite 的整個存在理由。 Q&A 時被問到 coherent-lite 適合哪個距離，她的回答值得逐字讀——coherent-lite 超過 2 公里是做得到的，但目標本來就不是拉更遠，而是把 DSP 裡整段色散補償功能砍掉，只要能穩穩支撐 2 公里。真要更遠，就把色散補償加回去、在功耗上付一點代價。

換句話說，coherent-lite 不是「用相干技術打長距」，而是用相干的物理特性換掉 DSP 的一塊面積與功耗。這是完全不同的商業命題，看錯就會把它誤判成長距市場的延伸。

5. 真正的瓶頸：wire bond、90 GHz 的凹陷，和那顆越來越熱的 DSP

如果整場只能記一件事，是這件：封裝與電氣介面已經是主要限制因素。

她給的證據很具體。wire bond 與 flip chip 在 110 到 120 GHz 這個區間的損耗其實相當接近，但再往上，「突然就崩了」。這意味著現行封裝工法在 400G/lane 還勉強可用，但沒有裕度給下一代。她的結論下得很重：每多加一個元件，都可能毀掉你整體的頻寬。

第二個更麻煩的是連接器：現行 OSFP 連接器（以及部分測試設備）頻寬不足，在 90 GHz 有一個明顯的頻率凹陷。這不是元件廠能自己解的問題——她提到同場 Arista 的 Andy Bechtolsheim 早上展示了一組看起來有希望的仿真，新的 form factor 或許能處理；我們拆過那場：2026 OCP APAC Summit | Arista | Andy Bechtolsheim | XPO：把光模組泡進液冷，可插拔還要再撐一代。

如果連接器解不掉，她給的替代方案很務實：模組電氣側改走 PAM6 或 PAM8，再用 gearbox 降回 PAM4 給光學。 這是典型的「繞過去」——把難度從連接器搬到晶片，但也意味著多一顆 die、多一份功耗。

第三個是連鎖反應：DSP 越重，功耗越吃緊；功耗吃緊直接壓到熱設計，而熱又同時壓在光學與電氣封裝上。這條鏈是 400G/lane 最容易被低估的部分，因為它不會出現在任何一張元件規格表上。

6. 600G 與 800G：IM/DD 續命論，與被關掉的那扇門

已經有人在問下一個速率節點了。她的判斷分成三段：

IM/DD 還是有吸引力。 到 600G、800G，IM/DD 大概仍然是功耗更低、成本更低、接收端更簡單的那條路。而且調變器與偵測器的技術在文獻上已經存在——有些 OE 元件的數字非常漂亮。

缺的是電子，不是光子。 她說得很直接：還沒看到能支撐這些 OE 元件的電子實作。這句話值得台灣的 IC 設計與封裝業者畫線——未來兩代的瓶頸與價值，正在從光學位移到高速電氣。

coherent-lite 與全相干 DSP 會有角色。 特別是 coherent-lite 用在較短距離，從能耗角度看是很有意思的解。

而 PAM6 上光這條路，她直接關掉：研究了很久，還是撞在 SNR 牆上。除非調變器的消光比能大幅拉高，否則不用想。這是整場最乾淨的一次否決，比任何路線圖都有資訊量。

最後她的 call to action 也很值得注意：希望產業界先對齊系統層級目標，再定義開放任務，然後回答「該先標準化哪一件事」。這句話的潛台詞是——現在連 400G/lane 的系統目標都還沒對齊。

7. 對台灣供應鏈的意義

把這場的訊號翻譯成台灣的工作清單，有四條：

第一，價值正在往高速電氣與封裝介面移動。 90 GHz 的連接器凹陷、wire bond 在 110 GHz 以上崩掉、driver 擺幅限制住 ER——這三件事沒有一件是光學元件廠能單獨解決的。做高頻 PCB、載板、bonding、連接器、被動元件的台廠，這一代的話語權比上一代大。

第二，仿真能力是入場券，不是加分項。 她兩次強調要把元件與元件之間的介面一起仿真。台廠若還停在「我的元件規格達標就交貨」，會在 400G/lane 被系統客戶擋在門外。這點和台積電在同場說的「元件級驗證的時代結束了」是同一個方向。

第三，InP 供應鏈是排程題。 如果 400G/lane 的主力落在 InP EAM 與 InP PD，那 InP 基板、EML 磊晶、雷射代工的產能就會直接變成交期問題。這條線我們在 800G vs 1.6T 光模組：一個世代跳升，把 BOM 拆給你看追過成本結構，400G/lane 只會讓它更緊。

第四，別把 TFLN 的論文數字當成訂單。 100 倍的面積差距在高密度場景是硬約束。TFLN 有它的市場，但短期不會是 CPO 旁邊那顆。

總結

這場的價值不在「Coherent 做到了 420 Gbps」，而在她把 400G/lane 的問題重新歸類了一次：光學元件的頻寬問題基本上解決了，剩下的全是電氣、封裝、連接器與功耗——也就是那些沒有單一供應商能負責的部分。

所以她結尾要的不是更好的調變器，是對齊系統目標與標準化順序。這其實是一種公開承認：這一代的瓶頸已經不在任何單一元件裡，而在介面上；而介面問題，只能靠整個產業一起解。

給讀者一條可以拿去用的判斷線：接下來一年，追 400G/lane 進度不要看調變器的頻寬新聞，要看兩件事——新 form factor 連接器能不能把 90 GHz 那個凹陷推上去，以及 400G/lane 級的 driver 與 TIA 有沒有量產級的實作。這兩件事誰先解，誰就決定 400G/lane 什麼時候真的到。

至於 coherent-lite，別把它當長距技術看。它是一個功耗故事，賭注壓在 2 公里這條線上——如果 IM/DD 在 600G/800G 真的撐住，coherent-lite 的窗口就會比現在很多人預期的更窄。

本文僅供技術與產業趨勢分析，不構成任何投資建議。