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SEMICON Taiwan 2026 矽光子國際論壇 14 場全解讀 | 架構之爭結束,製造之爭開打
14 場演講,沒有一場在辯論 CPO 該不該做——這才是這場論壇最重要的訊號。台積電把 3.2 Tb/s 印上 2026、Advantest 把測試驗證卡在 2027,而 ficonTEC 說未來 18 個月要出貨過去 25 年一半的設備。當產業從辯論階段畢業,贏家就從會講故事的人換成把良率做出來的人。
9月2日


技術文章分析 | Nature Electronics 把 CPO 的整本帳攤開:從 1.4 倍的頻寬牆,到 100 fJ/bit 的單晶片終局
CPO 的競賽已經不在光學,而在封裝能不能量產到那一級。這篇 Nature Electronics review 把 2D、2.5D、3D TSV、hybrid bonding 與單片整合的 pJ/bit 全部標在同一張圖上,落差是整整兩個數量級。本文逐圖導讀論文全部 24 張圖與 2 張表,並標出台灣供應鏈真正的卡位點。
8月26日


2026 OCP APAC Summit | ASE | Nicole Tien | 打開封裝之後:CPO 卡住的不是光,是那個沒人想談的測試
ASE 在 OCP 給出 CPO 的三段跳能效帳,也丟出全場最誠實的一句話:幾乎沒有人在談光引擎的良率測試。CPO 的技術辯論階段已經結束,現在是良率辯論階段——下一個值得追的訊號,不是誰宣布幾 Tbps,而是誰第一個公開 KGOE 測試良率。
8月18日


2026 OCP APAC Summit | GlobalFoundries | Thomas Barber | 把光引擎變成一顆晶片:CPO 的勝負手已經不在光學
CPO 的技術辯論已經結束,接下來比的是良率、測試與交貨。GlobalFoundries 用 SCALE 把光引擎變成一顆能全測、能保固十年的半導體零件,目標成本壓到可插拔的 20–30%。真正的變數不是光學,是互通標準還沒收斂。
8月18日


2026 OCP APAC Summit | Coherent | Anna Tatarczak | 400G/lane 卡的不是光,是電:IM/DD 還沒交棒,但這次要靠封裝救
400G/lane 的光學問題基本上解決了,剩下的全是電氣、封裝與連接器。Coherent 這場把瓶頸位置講得很清楚:wire bond 在 110 GHz 以上崩掉、OSFP 連接器 90 GHz 有凹陷、PAM6 上光撞 SNR 牆。IM/DD 還能撐到 800G,缺的不是光子,是電子。
8月16日


2026 OCP APAC Summit | AI 硬體的下一個戰場不在製程,在封裝:拆解 ASE CP Hung 的「整合三部曲」
AI 系統能不能落地,早就不是單靠製程決定,而是看能不能把運算、光、電整合並量產。ASE CP Hung 用「先進封裝三部曲」把這個轉折講白了——當戰場從微縮移到整合,台灣供應鏈手上的牌反而更好。
8月14日


2026 OCP APAC Summit | 台積電把話講白了:先進封裝是 AI 算力的守門人,元件級驗證的時代結束了
台積電這場 3DIC 演講真正的訊息只有一句:元件級驗證已死。當客戶晶片比測試載具還早進 fab,封裝就成了 AI 算力的守門人。台積電要把整條供應鏈拉進 STCO,而「signaling 交給光」等於替 CPO 與矽光子蓋章。台灣供應鏈的價值,正往能坐到 fab 旁邊的人移動。
8月14日


【CPO 拆解 5/6】CPO 生態系正在重新洗牌:晶圓廠與 OSAT 從配角變主角
CPO 把價值從模組組裝推向先進封裝,最大受益者不是老牌光模組廠,而是握有矽光子製造與先進封裝能力的晶圓廠與 OSAT。台灣聚落正圍著它們重組,而標準化是勝負手。但可插拔仍在成長,方向盤仍握在平台巨頭手上。
8月4日


法說精華:聯電 UMC|2026 Q2 — 成熟製程回溫、矽光子首批量產出貨,聯電的第二成長曲線浮現
聯電 Q2 EPS NT$3.39 創新高,但淨利暴增三倍主要來自業外,本業靠稼動率回溫回血。真正的看點是矽光子量產出貨、Intel 12nm、先進封裝三條 2028 才放量的新曲線。Q3 利用率上看 90%、毛利率拉到 mid-30%,聯電的身分正在轉換。
7月31日


法說精華:FormFactor(FORM)|FY2026 Q2 — 站在 HBM4 與 CPO 測試的收費站,單季營收破 $1B 年化、毛利率首度站上 50%
FormFactor 單季營收破 $10 億年化、毛利率首度站上 50%,HBM4、CPO、GPU 三條線同步點火。但真正的槓桿——Rubin 放量、ASIC 的 MEMS 轉換、Farmers Branch 毛利率增益——都落在 2027–2028。這一季買的是斜率的可信度,不是當下的漂亮數字。
7月30日


法說精華:Amkor Technology(AMKR)|2026 Q2
Amkor 這季寫下營收紀錄,真正引擎是 AI 運算與先進封裝,不是傳統手機。CPO 首次入列、TSMC 與 NVIDIA 兩張長約,把它綁進 AI 供應鏈核心。EPS 年增逾兩倍,但亞利桑那折舊是 2028 的下一道逆風。
7月28日


【CPO 拆解 2/6】光子封裝的典範轉移:CPO 為什麼是一場「先進封裝」的戰爭
CPO 卡關的核心不是元件做不出來,而是封裝換了一整套工法。當光引擎搬進 ASIC 載板,光子封裝被迫「半導體化」。誰能把三條路線標準化、交給晶圓廠與 OSAT 複製,誰就握住 CPO 的時間表。
7月27日


VLSI2026|技術文章分析|當封裝變成 AI 的主戰場:拆解 TSMC 在 VLSI 2026 的 3.5D 系統整合藍圖(Figure 1–19 全圖導讀)
AI 的效能瓶頸早已不在算力,而在跨晶片、跨封裝的資料搬移。台積電在 VLSI 2026 用 3DFabric 平台給出答案:讓封裝本身成為擴展 AI 的載體。本文逐一拆解論文 19 張圖,從算力 48 倍、頻寬 34 倍到供電與散熱協同、EDA agent 化,看懂先進封裝為何是這場競賽的主戰場。
7月7日


光纖能不能換?CPO 量產最被低估的一關,和搶這關的十五家公司
CPO 簡報花 90% 講晶片,但運維只問一句:光纖能不能換?這就是 CPO 量產隱形的關卡。FAU 這個被動小件正上演四種耦合物理的路線之爭,十五家公司分頭卡位。誰現在賺、誰賭 2027、康寧 GlassBridge 會不會掀桌?
7月6日


ECTC 2026 | Applied Materials | First Demonstration of 450nm Pitch Cu-Cu Hybrid Bonding with 98% Yield Across 20M Interconnects for Ultra-Dense 3D Integration
W2W Cu-Cu 混合鍵合第一次推到 450 nm 還守住高良率(2000 萬連結 98%/100%)。Applied Materials 揪出鍵合界面的 BTA 殘碳這個良率殺手,把界面化學、阻障、退火全部工程化。3D DRAM/HBM 的鋪路工程。
7月2日


康寧 GlassBridge:玻璃材料霸權,正從封裝基板延伸到光纖耦合層
GlassBridge 不是連接器,是康寧玻璃材料霸權的第二次出手。它瞄準 CPO 成本佔 60% 到 70% 的光纖耦合與 FAU 環節,破壞力真實存在,但卡在商業關、不是技術關。為什麼這會先燒估值、再燒基本面?
7月1日


ECTC 2026 | Tohoku University | Chemically Tailored Cu-Electroplating and Contactless Isostatic Annealing of 1-mm-Thick Full Glass Wafer Cu Through-Glass-Vias
玻璃要當先進封裝 interposer,第一關是把又深又直的 TGV 填滿好銅。東北大用無電鏀鏍種子+化學電鏀+HIP 退火,1 mm 厚玻璃直孔無空洞填滿、長出 >45 µm 超大晶粒。玻璃 TGV 的底層工程突破。
6月29日


ECTC 2026 | ASE | A Novel 600mm Panel Interposer with 300mm Panel Assembly Approach for Advanced Packaging Solution in HPC and AI Applications
600mm 面板做 FOPLP 利用率高但組裝易翻曲。ASE 用「RDL 在 600mm 面板做、組裝在 300mm 面板做」的混合流程,拿到 7.1x productivity 又低風險,做出 3 層 RDL 5/8µm、±5µm 精度,過 3x/6x 回流。AI 封裝的務實面板路線。
6月29日


ECTC 2026 | AIST | Proposal of a Novel Opto-Electronic Fan-Out Wafer-Level Packaging Based on Optical RDL and Opto-Chiplets
CPO 量產卡在微透鏡 pick-and-place 與主動對位。AIST 把透鏡-反射鏡做成 opto-chiplet 在封膜時埋入、配 Optical RDL 導光,對位容忍度放大到 ±12 µm。把對位從組裝搬到封裝的一條路。
6月29日


ECTC 2026 | ASE | Characterization of Bonding Behavior and Void Formation in Chip-on-Wafer Hybrid Bonding
CoW 混合鍵合的良率先卡在初始鍵合波前角度。ASE 把角度調到 D 讓波從中心往邊緣有序推進,8×12×0.05mm 良率從 2.8% 暴衝到 99%,並在 102.4µm 翹曲超薄晶片、6µm 間距、organic 介面上一律 95–99%,大幅放寬 process window。
6月29日
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