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ECTC 2026 | AIST × KYOCERA | Demonstration of an Optical Packaged Substrate with Embedded Silicon Photonic Transceiver for High Performance Chiplet Packaging

  • 4小时前
  • 讀畢需時 5 分鐘
AIST 與 KYOCERA 在 ECTC 2026 把一個放了好幾年的概念——主動光學封裝基板(Active Optical Package,AOP)——第一次真的點亮了。他們把矽光子收發器晶片「埋進」有機基板,用聚合物光學重佈線層(Optical RDL,ORDL)加上一對微反射鏡,做出 PIC 矽波導與聚合物波導之間的 3D 垂直光路,再把間距轉換後導到基板邊緣的光連接器。最關鍵的是這次不是模擬、不是被動元件,而是真的跑了 112 Gbps(56 Gbaud)PAM4 主動傳輸,TDECQ 量到 3.35 dB,過 IEEE 400G/400G-FR4 的 ≤3.4 dB 門檻。一句話:AOP 從 PPT 走到了「會發光、會調變、訊號過關」的工程樣品。

1. 論文背景:把光學「埋進」基板的那條路線

這篇來自日本 AIST(產業技術總合研究所,Tsukuba)與 KYOCERA 的合作,發表於 2026 IEEE 第 76 屆 ECTC。CPO 要突破電氣互連的頻寬與能效天花板,最難的一關仍是封裝好的光子積體電路(PIC)與外部光纖之間的耦合。現行 CPO 多半用光纖直接黏到光栓耦合器,但受限於 127 µm 以上的光纖陣列間距,光學 I/O 密度上不去。

AIST 的解法不是改耦合器,而是改架構:把矽光子收發器晶片整顆埋進有機基板,光路靠聚合物 ORDL 與晶片上一對微反射鏡完成——下方雙錐鏡當 PIC 的垂直耦合器、上方 45° 鏡把光路彎 90° 接到聚合物波導。ORDL 順便做間距轉換、把訊號導到基板邊緣的光連接器;電氣則走上方 interposer 接 driver/TIA/xPU/記憶體,用傳統電氣封裝、短電氣走線完成 chiplet 組裝。

這條「聚合物光重佈線」路線,我們在 技術文章分析|聚合物波導扛住 +20 dBm 六小時用「扇出封裝」打 1.6T 光引擎:A*STAR 的低成本 CPO 解法 都談過——AIST 這篇是同一條路線「埋晶+主動點亮」的里程碑版本。


Fig. 1:AOP 基板截面示意,矽光子收發器埋入有機基板,聚合物 ORDL +上下微反射鏡構成 3D 光路。AIST × KYOCERA, ECTC 2026 - Fig. 1
Fig. 1:AOP 基板截面示意,矽光子收發器埋入有機基板,聚合物 ORDL +上下微反射鏡構成 3D 光路。AIST × KYOCERA, ECTC 2026 - Fig. 1

2. 核心問題:把整篇論文濃縮成一句話

這篇論文要證明的是:把矽光子收發器埋進基板、用聚合物 ORDL 與微反射鏡構成 3D 光路的 AOP 架構,能不能真的主動傳輸、訊號品質過不過 IEEE 規格。

答案是肯定的——112 Gbps PAM4、TDECQ 3.35 dB,第一次完成 AOP 的主動操作示範。


3. 關鍵圖表逐一解析

3.1 這張圖展示了「光路怎麼在基板裡 3D 轉彎」

Fig. 1:AOP 基板截面示意,矽光子收發器埋入有機基板,聚合物 ORDL +上下微反射鏡構成 3D 光路。AIST × KYOCERA, ECTC 2026 - Fig. 1
Fig. 1:AOP 基板截面示意,矽光子收發器埋入有機基板,聚合物 ORDL +上下微反射鏡構成 3D 光路。AIST × KYOCERA, ECTC 2026 - Fig. 1

這張圖(Fig. 1、Fig. 2)是 AOP 的骨架。製程流程很關鍵:先在 PIC 預刻溝槽,用 UV 灰階微影做出下方雙錐鏡、镀反射金屬;把 PIC 埋進基板溝槽(UV 膠對齊表面高度)、透明樹脂平坦化;再依序鋪聚合物波導的下包層/核心/上包層,並用 UV 壓印(imprint)做出上方 45° 鏡(高約 40 µm)。壓印的模具用雙光子聚合(2PP)3D 列印在玻璃上做、可重複使用——把 2PP 的高精度與壓印的高產出結合起來。

重點在於:上方鏡用 step-and-repeat 壓印,靠晶片與模具的對位標記對齊,所以埋晶時不需要超高精度對位——這是讓製程可量產的關鍵設計。


3.2 這張圖展示了「它真的會發光、會調變」——TDECQ 3.35 dB

這張圖(Fig. 4)是主動傳輸的眼圖。CW 1310 nm 光從外部雷射經 ORDL 與 3D 光路進到基板內的 Mach-Zehnder 調變器,調變後再經微反射鏡與 ORDL 耦合到光纖,用取樣示波器看眼圖。56 Gbaud PAM4(112 Gbps)、套 64-tap FFE 後眼圖張開,TDECQ 量到 3.35 dB,過 IEEE 400G 與 400G-FR4 的 ≤3.4 dB。

這個數字的份量在於:它不是被動損耗量測,而是「埋進去的收發器真的在工作、而且訊號品質達標」——AOP 從概念變成可驗證的工程。


ig. 4:AOP 樣品 112 Gbps(56 Gbaud PAM4)主動傳輸眼圖,TDECQ 3.35 dB。圖片來源:AIST × KYOCERA, ECTC 2026 - Fig. 4
ig. 4:AOP 樣品 112 Gbps(56 Gbaud PAM4)主動傳輸眼圖,TDECQ 3.35 dB。圖片來源:AIST × KYOCERA, ECTC 2026 - Fig. 4

3.3 這張圖展示了「樣品長什麼樣」——多晶片 ORDL 佈線

這張圖(Fig. 3)是實際樣品:含 Tx 輸出、Rx 輸入、外部光源(ELS)輸入埠,部分為模擬佈線的 dummy 晶片,中央保留給電氣元件與 driver/TIA。每顆晶片一面長 3000 µm 的上方鏡,覆蓋單晶片所有光學 I/O。這證明 ORDL 佈線與多晶片配置可一起設計,朝 chiplet 等級的邊緣頻寬密度走。


4. 技術亮點

第一個亮點是「埋晶 + 3D 微反射鏡光路」這套架構第一次被主動點亮。把光學元件完全埋進基板,光路靠晶片上下兩面微反射鏡垂直導引,等於把光 I/O 密度從「光纖陣列間距」這個物理限制裡解放出來,同時電氣走傳統短走線封裝。

第二個亮點是製程的可量產取向:2PP 3D 列印做模具、UV 壓印量產微反射鏡、對位靠標記不靠高精度埋晶,把「光學微結構」變成可重複、可放大的製程。聚合物 ORDL 同時負責間距轉換與佈線到基板邊緣,把光連接器留在邊緣可拆。


5. 產業連結:離量產有多遠?誰受益?

距離:這是「架構主動驗證」階段——單一樣品點亮、訊號過 400G 規格,但離多通道滿載、可靠度驗證、良率還有距離。AIST 自己的後續引用也指向 1.6 Tb/s CWDM O/E 轉換器(ECOC 2024),方向是往更高聚合頻寬走。

受益者:最直接是聚合物 ORDL 與壓印/2PP 設備鏈;其次是想用「埋晶光學基板」做 chiplet 的封裝廠與 IDM——AOP 讓光 I/O 與電氣 chiplet 可以在同一基板用既有電氣封裝整合。要冷靜的是:聚合物波導的長期高溫高濕可靠度、ORDL 損耗、與多晶片良率,仍是這條路線要過的牆。


6. 總結

這篇論文該被記住的一句話是:AOP 不再是 PPT——AIST 與 KYOCERA 把埋晶矽光子加聚合物 ORDL 的 3D 光路真的點亮,112 Gbps PAM4、TDECQ 3.35 dB 過 IEEE 規格。 對追蹤 CPO 路線之爭的人,觀察點是:聚合物 ORDL 埋晶路線,正在從「被動損耗 demo」進到「主動傳輸達標」,下一個門檻是多通道、可靠度與良率。

參考資料

  • Fumi Nakamura, Akihiro Noriki, Kenta Suzuki, Satoshi Suda, Haruhiko Kuwatsuka (AIST) 與 KYOCERA, "Demonstration of an Optical Packaged Substrate with Embedded Silicon Photonic Transceiver for High Performance Chiplet Packaging," 2026 IEEE 76th ECTC.

  • National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Japan;KYOCERA Corporation, Kyoto, Japan

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